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[求助] [已解决]非序列模式下半导体光源可以设成高斯光源吗？

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klein

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发表于 2021-5-16 20:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

高斯光源是不是就是准直后的半导体激光光源？

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风之避尘

2021-5-28 14:25

高斯光源和LD光源还是有区别的，高斯光源仅仅可以设置Beam size 和position两个参数，一般position越大，光束发散角越小；LD光源可以设置的参数就很多，包括两个方向的发散角、光源尺寸、超高斯因子等，可以比较好的还原真实光源分布

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无冕至尊

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发表于 2021-5-16 23:51 | 显示全部楼层

是的，大部分时候可以将“半导体光源可以设成高斯光源”，具体的可以查看“Source Gaussian”下的参数，以及其他source的参数~

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楼主| 发表于 2021-5-17 14:15 | 显示全部楼层

光杆司令发表于 2021-5-16 23:51
是的，大部分时候可以将“半导体光源可以设成高斯光源”，具体的可以查看“Source Gaussian”下的参数，以 ...

如果我要在半导体激光器后面加透镜的话，是不是得考虑其发散角呀？这样就不能设为高斯光源了？如果是高斯光源的话，就是平行入射了

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frankleli

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发表于 2021-5-20 10:11 | 显示全部楼层

我这种情况一般都是设置成半导体光源，有发散角情况的话更倾向于半导体了，好像发散角zemax是选取的半角。楼主可以试试两种的区别，弄个远点的探测器看看高斯光束的分布及曲线。

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发表于 2021-5-26 13:57 | 显示全部楼层

非序列模式下半导体光源光源应该设置为source diode，这样可以在后面设置发散角还有像散值，更符合实际LD

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风之避尘

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发表于 2021-5-28 14:25 | 显示全部楼层本楼为最佳答案

高斯光源和LD光源还是有区别的，高斯光源仅仅可以设置Beam size 和position两个参数，一般position越大，光束发散角越小；LD光源可以设置的参数就很多，包括两个方向的发散角、光源尺寸、超高斯因子等，可以比较好的还原真实光源分布

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