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    光电传感芯片Sensor区域的FoV是如何定义的？

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    11294
  • TA的每日心情
    怒
    2024-11-6 12:44

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    [LV.9]以坛为家II

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    • 发表于 2022-6-13 16:48 | 显示全部楼层 |阅读模式
    如题，想请教一下这个FoV应该如何去计算或者定义？

    举个栗子，AMS的TMF8701这款芯片，采用了8*8的SPAD阵列做接收，传感器标注的FoV是24°或37°，当然这是由工作距离决定的。
    芯片封装的镜头，应该做不到成像一般将光束调制到衍射极限，而是到SPAD阵列尺寸内就可以了。
    这种情况下传感器的FoV应该如何去定义或者计算呢？？？


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    jjgold
  • TA的每日心情
    慵懒
    2024-11-4 09:30

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    [LV.10]以坛为家III

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    • 发表于 2022-6-14 16:27 | 显示全部楼层
    像AMS这种单点TOF产品不属于成像系统，它的FOV是看接收能量的，中心视场能量最大，越往边缘能量越低，FWHM代表半高全宽，就是指接收能量处在最大值一半时候的FOV

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  • TA的每日心情
    怒
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    •  楼主| 发表于 2022-6-20 13:49 | 显示全部楼层
    jjgold 发表于 2022-6-14 16:27
    像AMS这种单点TOF产品不属于成像系统，它的FOV是看接收能量的，中心视场能量最大，越往边缘能量越低，FWHM ...

    谢谢您的回复
    又去查了查AMS的文档，发现他是如此定义的

    简单地说就是焦距与靶面尺寸的tan

    我一下子明白了许多，谢谢

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